核心专利技术介绍
以微带电路取代传统π型电路，推出超宽带温度补偿衰减器,打破美国制作商全球垄断的局面
(微带电路设计DC-6，12.4，18,20,16-36GHz)
 推出具有独立知识产权的5G超小型（5×3mm)，高功率密度3db耦合器及定向耦合器贴片式产品。管脚和尺寸国际兼容，独特专利技术设计为我国的5G直放站和基站通信项目保驾护航。
 采用国际前沿的硅晶圆技术和砷化镓晶圆技术，设计超宽带二路功分器，四路功分器，3db耦合器，定向耦合器，四相位移向器，可变衰减器，固定衰减器，移向器等系列化齐全的无源半导体芯片产品，为全球4G,5G通信项目,卫星导航,车载通信应用带来的无源芯片解决方案
 世界无突变DC-6GHz手动可调衰减器。
 全球推出0603封装的PTFE工艺制作的贴片式耦合器，同时0805封装的贴片式耦合器已经进入批量生产状态，全力以赴争取5G终端应用的市场份额。
 世界先进技术，实现射频微波场效应管芯片内置的高频率，无损耗温度补偿电路。

 小型化四相位移相器（内置负载）PCB工艺，5x3mm，插入损耗低，幅度&相位平衡度，支持天线小型化。