目录 
- 采用GaAs工艺制作
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低驻波比
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均衡范围大
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DNF2*2、QNF3*3封装
- 超低损耗
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驻波小
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隔离度高
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优越幅度平衡度和相位平衡度
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原位替代
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高可靠性
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产品一致性好
- 小型化
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高可靠性
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温度范围宽
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50Ω共面波导输出
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金丝键合,适用多芯片集成模块应用
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- 小尺寸:2.0 x 1.25 mm
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一致性非常好
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插入损耗非常小和低驻波比
- Adopting advance GaAs
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Excellent attenuation
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High ESD level
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Low VSWR
- 采用GaAs工艺制作
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低驻波比
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均衡范围大
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裸片无封装
- 采用先进的砷化镓GaAs技术
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高ESD水平
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低驻波比
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裸片
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- 低损耗,高抑制
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小尺寸
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高功率
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温度稳定
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工作温度:-55至+100度
- 宽频带特性
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好的相位平衡度
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好的幅度平衡度
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坚固的屏蔽外壳
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