国际发明专利产品
中国专利号:ZL 202223370001.4
美国专利号 # US 7,990,230 B2.
欧洲,中国,台湾发明专利
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应用:
● 功率放大器
● 低噪声放大器
● 增益模块
● MMIC 放大器
● 无线局域网(2.4GHz & 5.8GHz)
● WiMAX
● UWB
● 混频器
● 功率分配器
● 卫星通信
● 定向耦合器
● 广播电视
● 雷达
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特性:
● 频率范围:DC to 20GHz,16 to 36GHz,36 to 50GHz
● 功率:100mW, 200mW
● 特性阻抗: 50Ω
● 工作温度:-55℃~+150℃
● 衰减量范围从1dB至10dB,具有10种类型的衰减量,每种衰减量具有N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9七种温度特性,全系列总共70种温度特性组合。另,可根据客户要求,提供N10或N11等斜率较大的温度系数代码的特制产品。
● 采用100%激光调阻,衰减量精度高。
● 可靠性高,采用先进的厚膜工艺和薄膜工艺技术通过850℃高温烧结而成。
● 零失真,几乎没有温度变化引起的相位变化或时延变化,零噪声。
● 正向起温度补偿,反向有隔离器的作用,更适合于多级功放。
● 不会产生额外的三阶交调(IP3),可直接安装在线性功放里。
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系列化介绍
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MTCAU Series..................DC~20GHz,200mW,50 Ohms,0.8×0.85×0.27(mm)
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MTCAS Series..................DC~20GHz,200mW,50 Ohms,0.8×0.6×0.27(mm)
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MTCAT Series..................DC~20GHz,200mW,50 Ohms,0.8×0.6×0.15(mm)
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KTCAU Series..................16~36GHz,50 Ohms,0.8×0.85×0.28(mm)
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QTCAU Series..................36~50GHz,50 Ohms,0.8×0.85×0.28(mm)
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TCA系列在1GHz, 3GHz及6GHz频率范围内的优越射频特性
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当温度从-55℃变化到+150℃时,衰减量变化范围大,特别是工作在1GHz, 3GHz和6GHz等频率范围时,此特性更显著。同时,工作在1GHz, 3GHz和6GHz等频率时,VSWR和衰减量误差保持在较低的范围内。这些特性使得其更适合于宽频带应用,如5.3~5.8GHzWLAN 和UWB。为了保证更好的通信质量,客户往往需要工作在更高的频率范围,只有研通的温度补偿衰减器可以提供在1GHz, 3GHz和6GHz等频率范围具有优越射频特性并极具成本竞争力的最佳解决方案。
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型号描述
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MTCAU
系列
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**
频率
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**
衰减量
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**
温度系数代码
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**
电极外形及材料选项
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MTCAU,MTCAS,MTCAT
KTCAU,QTCAU,
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20,40,50
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01 to 10
(1dB to 10dB)
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(N3 to N10)
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WB1或G
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例: 型号MTCAU2003N9WB1,MTCAU系列,频率范围DC~20GHz,25℃衰减量为3dB,衰减量温度系数-0.009dB/dB/℃,电极外形金丝键合包一边。
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电极外形及材料选项
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● 金丝键合包一边(WB1):对地端包边, 输入和输出端为用于金丝键合的金电极。
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● 平面金电极(G):对地端,输入和输出端为用于金丝键合的金电极。
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材料规格
● 基板: 氧化铝陶瓷基(Al2O3)
● 阻抗材料:厚膜
● 电极:
1)正面电极:输入、输出、地电极金层(金丝键合)
2)侧面与背面电极钯银
● 表面涂层:厚膜保护料(ethyl acetate)
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备注:军工级产品需在型号后缀增加"J" (例如:MTCAU2001N9WB1J),无后缀表示工业级产品。
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超小型MTCAU 系列(金丝键合&SMD封装)
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特点:
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● 尺寸0.8*0.85*0.27mm(超小超薄的无源温补),金丝键合或SMD,尺寸&厚度与有源温度补偿衰减芯片一致,方便使用。
● N3~N9多种斜率可选,解决有源温补斜率单一的问题。
● 可靠性高,无需外加电源
● 小型化设计,应用于相控阵雷达的多通道系统
● 功率升高时,相对有源温度补偿衰减芯片,无源温补有更好更稳定的温度&频率响应特性,可靠性更高。
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主要技术指标:
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● 宽频带: DC to 20 GHz
● 工作温度: -55℃ to 150℃
● 特性阻抗: 50Ω
● 功率: 200mW
● 尺寸: 0.8×0.85×0.27 or 0.22(mm)
● 厚膜工艺
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型号
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衰减量
(dB)
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温度系数代码
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衰减量温度系数(dB/dB/℃)①
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最大驻波比.
(:1)@1GHz
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衰减精度(dB)
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1
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N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
2
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
3
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
4
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
5
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
6
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
7
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
8
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAU2009N*
|
9
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAU2010N*
|
10
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
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超小型MTCAS 系列(金丝键合封装)
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特点:
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● 尺寸0.8*0.6*0.27mm(超小超薄的无源温补),金丝键合或SMD,尺寸&厚度与有源温度补偿衰减芯片一致,方便使用。
● N3~N9多种斜率可选,解决有源温补斜率单一的问题。
● 可靠性高,无需外加电源
● 小型化设计,应用于相控阵雷达的多通道系统
● 功率升高时,相对有源温度补偿衰减芯片,无源温补有更好更稳定的温度&频率响应特性,可靠性更高。
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主要技术指标:
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● 宽频带: DC to 20 GHz
● 工作温度: -55℃ to 150℃
● 特性阻抗: 50Ω
● 功率: 200mW
● 尺寸: 0.8×0.6×0.27(mm)
● 厚膜工艺
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型号
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衰减量
(dB)
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温度系数代码
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衰减量温度系数(dB/dB/℃)①
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最大驻波比.
(:1)@1GHz
|
衰减精度(dB)
|
MTCAS2001N*
|
1
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
2
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
3
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
4
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
5
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
6
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAS2007N*
|
7
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAS2008N*
|
8
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAS2009N*
|
9
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAS2010N*
|
10
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
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超小型MTCAT 系列(金丝键合封装)
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特点:
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● 尺寸0.6*0.8*0.15mm(超小超薄的无源温补),金丝键合或SMD,尺寸&厚度与有源温度补偿衰减芯片一致,方便使用。
● N3~N9多种斜率可选,解决有源温补斜率单一的问题。
● 可靠性高,无需外加电源
● 小型化设计,应用于相控阵雷达的多通道系统
● 功率升高时,相对有源温度补偿衰减芯片,无源温补有更好更稳定的温度&频率响应特性,可靠性更高。
|
主要技术指标:
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● 宽频带: DC to 20 GHz
● 工作温度: -55℃ to 150℃
● 特性阻抗: 50Ω
● 功率: 200mW
● 尺寸: 0.6×0.8×0.15(mm)
● 厚膜工艺
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型号
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衰减量
(dB)
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温度系数代码
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衰减量温度系数(dB/dB/℃)①
|
最大驻波比.
(:1)@1GHz
|
衰减精度(dB)
|
MTCAT2001N*
|
1
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
2
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
3
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
4
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
5
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
|
6
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAT2007N*
|
7
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAT2008N*
|
8
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAT2009N*
|
9
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
MTCAT2010N*
|
10
|
N3~N10
|
-0.003~ -0.01
|
1.20
|
±0.5
|
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超小型KTCAU 系列 (金丝键合&SMD封装)
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|
主要技术指标
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● 宽频带: DC to 40 GHz
● 工作温度: -55℃ to 150℃
● 特性阻抗: 50Ω
● 功率: 100mW
● 尺寸: 0.8×0.85×0.27(mm)
● for wire-bonding
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|
型号
|
衰减量
(dB)
|
温度系数代码
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衰减量温度系数(dB/dB/℃)①
|
典型值驻波比.
(:1)@1GHz
|
衰减精度(dB)
|
|
2
|
N3~N9
|
-0.003~ -0.009
|
1.35
|
±0.5
|
|
3
|
N3~N9
|
-0.003~ -0.009
|
1.35
|
±0.5
|
|
4
|
N3~N9
|
-0.003~ -0.009
|
1.35
|
±0.5
|
|
5
|
N3~N9
|
-0.003~ -0.009
|
1.35
|
±0.5
|
|
6
|
N3~N9
|
-0.003~ -0.009
|
1.35
|
±0.5
|
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超小型QTCAU 系列(金丝键合&SMD封装)
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主要技术指标
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● 宽频带: 36 to 50 GHz
● 工作温度: -55℃ to 150℃
● 功率: 200mW
● 尺寸: 0.8×0.85×0.28(mm)
● for wire-bonding
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型号
|
衰减量
(dB)
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温度系数代码
|
衰减量温度系数(dB/dB/℃)①
|
最大驻波比.
(:1)@1GHz
|
衰减精度(dB)
|
QTCAU5002*
|
2
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5003*
|
3
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5004*
|
4
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5005*
|
5
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5006*
|
6
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5007*
|
7
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5008*
|
8
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
QTCAU5009*
|
9
|
N3,N5,N7
|
-0.003,-0.005,-0.007
|
1.2
|
±0.5
|
|
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